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科学家研发水份解材料保护层

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来源: 作者: 2019-05-17 02:14:36

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研究人员使用原子层沉积方法在单晶硅、砷化镓或磷化镓表面形成一层能够漏电的TiO2膜,这种“漏电TiO2”膜的厚度为4~143纳米之间,它能够在保持透明的条件下,保护半导体免受水溶液的腐蚀。图片来源

在利用太阳能进行水分解的进程中,用于光吸收的材料(如硅、砷化镓)很容易受米饭加豆让你越吃越瘦
到水溶液的腐蚀而丧失原有功能。

加州理工学院人工光合作用联合中心(JCAP)的研究人员近日宣布开发出一种方法,能够保护用于光吸收的半导体材料。

研究人员使用原子层沉积方法在单晶硅、砷化镓或磷化镓表面构成一层TiO2膜。其关键在于,这种TiO2是能够漏电的,这种“漏电TiO2”膜的厚度为4~143纳米之间,它能够在保持透明的前提下,保护半导体免受水溶液的腐蚀。

在TiO2的表层,研究人员沉积了一些100纳米厚的镍氧化物的“岛”,使其成为水份解过程的催化剂。

虽然该工作对水分解反应中的氧化过程适用,但研究人员强调,尚无法得知是否能够使用较为廉价、简单的应中国否决欧洲三大航运商结盟方案
用技术,如喷涂等方法将TiO2覆盖于半导体表面。而且,该团队的实验只在连续光照下进行了几百个小时,没法得知更长时间下的保护效果。

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